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田島 訓; 高田 功; 水橋 清; 宇野 定則; 大越 清紀; 中嶋 佳則; 齋藤 勇一; 石井 保行; 酒井 卓郎; 神谷 富裕
F-113-'98/NIES, p.28 - 31, 1998/00
原研高崎TIARAに設置された3台の静電加速器の平成8年度における運転時間は3UVタンデム加速器、3MVシングルエンド加速器及びイオン注入装置について、それぞれ1582時間、1860時間そして1809時間であり、トリプル、デュアルなどの複合利用を含む放射線高度利用に使用された。平成8年9月から、これまでの勤務時間内運転をオペレータの2交代制による午後11時までに延長した。この運転体制により、年間の運転時間は10~30%増加し、マシンタイムの利用倍率もかなり緩和された。
松田 誠; 竹内 末広; 小林 千明*
F-113-'98/NIES, p.109 - 111, 1998/00
タンデム加速器から得られるビーム強度の増強と加速イオン種の拡大の目的からターミナルイオン源としてECRイオン源を設置する計画を進めている。イオン源本体は永久磁石を使用した小型の電子サイクロトロン共鳴(ECR)イオン源を用いる。このイオン源から得られるビームは高多価・高強度でありフォイルストリップを用いないため荷電状態はターミナル電圧に依らず高強度のビームが安定して加速可能となる。高電圧端子内にECRイオン源を設置するためには、設置スペース、電力、冷却、RF源、排気系、制御系、ビームオプティクス等の検討及びタンデム加速器特有の環境である高電圧、高圧ガス中での放電及び圧力対策が必要である。これまでにタンデム加速器内に設置することを前提として運転パラメーターの最適化、簡略化を行った。この結果イオン源の運転パラメーターは6から3に減らすことができた。テストではAr, Kr, Xeの3種にイオンを加速しほぼ所定の性能が発揮されていることが確認された。またいくつかのビームのエミッタンスの測定も行い約10mm・mrad・MeV
(80%)であった。
神谷 富裕; 酒井 卓郎; 内藤 豊*; 濱野 毅*; 平尾 敏雄
F-113-'98/NIES, p.60 - 63, 1998/00
原研高崎の重イオンマイクロビームの装置においては、半導体素子のシングルイベント効果の研究のためにシングルイオンヒットシステムの開発を行ってきた。これまでMCP二次電子検出器による100%のシングルイオン検出効率と、ビームパルス化によるノイズ低減化を達成し、多重ヒット、ミスヒットの抑制に成功した。また、目的とする実験を効率よく行うため、試料へのビーム照準とイオンヒット個数の自動制御システムを製作した。これは従来のマイクロビーム走査二次電子マッピングシステムにカウンター制御機能を付加したもので、これによりマイクロビーム走査エリア内において任意の照射位置を予め設定して任意の個数ずつ入射イオンを数えながら順次打ち込むことが可能となった。これらのことを実証するためにCR-39への重イオンマイクロビームのシングルイオン照射実験を行った。
石井 保行; 磯矢 彰*; 田中 隆一
F-113-'98/NIES, p.105 - 108, 1998/00
超マイクロイオンビーム形成技術の開発ではビーム径0.1
m以下を目標としたマイクロビーム形成装置を開発している。この装置はイオン源、加速レンズ及びビーム径測定系の三つの部分から構成されている。イオン源はデュオプラズマトロン型で、低エネルギー、かつエネルギー幅の狭いビームを発生する。加速レンズは電場の侵み出しによる単孔レンズ効果を利用したレンズで、これを二段階に組み合わせることで大きな縮小率を得る。ビーム系の測定には ナイフエッジ法を採用し、先端厚が0.1m以下のナイフエッジを製作した。これらの部分を一つにまとめることで超マイクロイオンビーム装置の組み立てはほぼ完了した。現在、イオン源及び初段のビーム加速実験を行っている。発表は超マイクロイオンビーム装置の概要、イオン源からの発生電流量及び初段加速レンズでのビーム加速実験について行う。
齋藤 勇一; 水橋 清; 酒井 卓郎; 神谷 富裕; 田島 訓
F-113-'98/NIES, p.101 - 104, 1998/00
3MVタンデム加速器を用いてクラスタービームをMeVエネルギー、nA以上の電流で照射・注入実験に供給するための技術開発を行っている。新たにCu
、Al
、AlOの生成及び加速に成功し、計8種類の分子・クラスタービームが入手可能となった。また、分子・クラスターイオンの構造をクーロン爆発を利用して解析するための予備的実験を行った。
